Cmos優(yōu)勢(shì)物料推選十：CMD031N03L
Cmos優(yōu)勢(shì)物料推選十：CMD031N03L
CMD031N03L是采用Cmos自己優(yōu)化的柵極被分割改進(jìn)型溝槽工藝制造的一款金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。特點(diǎn)是，具有更低的輸入輸出電容，滿足了更高頻率的開(kāi)關(guān)切換電路應(yīng)用。極低的RDSON和QG，得到了卓越的優(yōu)值系數(shù)，明顯提高了場(chǎng)效應(yīng)管自生的效率轉(zhuǎn)換能力。理想的RSP特性和參數(shù)一致性，使得該物料在，同步整流，BMS,電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及UPS等應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越的穩(wěn)定性。CMD031N03L是Cmos長(zhǎng)期秉持綠色可持續(xù)發(fā)展又一產(chǎn)品。
封裝形式
基礎(chǔ)參數(shù)
核心優(yōu)勢(shì)
CMD031N03L是一款低壓應(yīng)用MOSFET,擊穿電壓BVDSS=30V，采用Cmos自己研發(fā)的溝槽優(yōu)化工藝制造。常溫條件下，源漏持續(xù)電流最高可達(dá)120A，具有卓越的帶載能力。CMD031N03L提供了TO-252、TO-251兩種常規(guī)封裝，這兩種封裝背部額外加裝較大散熱片，具有優(yōu)秀的散熱能力,保障了在高輸出能力的條件下的熱管理平衡。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)值系數(shù)FOM=QG×RDSON ，QG值反映了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)特性，RDSON 是MOS管導(dǎo)通后的靜態(tài)特性，F(xiàn)OM綜合反映了場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)能量的轉(zhuǎn)換效率。擁有優(yōu)秀高效的轉(zhuǎn)換效率，不僅提高了場(chǎng)效應(yīng)自身的應(yīng)用領(lǐng)域，而且符合綠色設(shè)計(jì)可持續(xù)發(fā)展的需要。
降本增效
場(chǎng)效應(yīng)管以其超高頻次（frequence可達(dá)兆赫茲以上）的開(kāi)關(guān)速度在射頻信號(hào)，通信鄰域，工業(yè)控制，無(wú)人機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和智能Ai泛領(lǐng)域得到應(yīng)用。由此可見(jiàn)，其自身能量損耗和開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度是保證其性能關(guān)鍵參數(shù)。CMD031N03L在常溫環(huán)境下，飽和導(dǎo)通內(nèi)阻只有3毫歐，極低的能耗在MBS，UPS，消費(fèi)類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)性產(chǎn)品中具有很高的應(yīng)用需求。柵極閾值電壓不超過(guò)2V，低開(kāi)啟電壓使驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，COSS輸入電容為2500PF，場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)啟就是給COSS充電的過(guò)程，該電容小，充電時(shí)間就短，或者允許充電電流可以小，一般單片機(jī)Drout 引腳的輸出電流只有毫安級(jí)別，如此則可以用單片機(jī)直驅(qū)場(chǎng)效應(yīng)管變得更具有現(xiàn)實(shí)意義。
Product Data Sheet
Cmos是優(yōu)質(zhì)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體，有二十五年的晶體管開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)。擁有核心的產(chǎn)品研發(fā)能力,相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)達(dá)四十多項(xiàng)；具有完備的半導(dǎo)體后道工藝生產(chǎn)設(shè)備，有著豐富產(chǎn)品型號(hào)。開(kāi)發(fā)產(chǎn)品面向鄰域廣泛，實(shí)用性能可靠穩(wěn)定，有較強(qiáng)的品牌影響力和市場(chǎng)份額。
Cmos晶體管產(chǎn)品有：MOS場(chǎng)效應(yīng)管，晶閘管，IGBT功率模塊，78系列穩(wěn)壓芯片，各種三極管和二極管等。
Cmos產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域如下表所示：
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