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高耐壓MOS：CMF90R450Q
CMF90R450Q功率MOSFET，是采用廣東場效應半導體有限公司（CMOS）先進的超級結技術，實現非常低的電阻和柵極電荷。采用優化的電荷耦合技術來提供高的效率。應用范圍廣泛，可用于Charger電源、Adaptor電源、Power supply、Electrodeless lamp等，有900V高耐壓能力，很好的性價比。
卓越的電氣特性
CMF90R450Q的主要電氣特性包括：
高耐壓能力：CMF90R450Q的耐壓（BVDSS）為900V。
電流能力：在25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）可達11A。
ESD保護能力：在柵源極集成ESD保護二極管，有優秀的ESD能力。
低開啟能力：開啟電壓VGS（th）是2.5~4.5V，使得在較低的驅動電壓下也能開啟。
低導通損耗能力：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMF90R450Q的導通電阻（RDS(on)）最大為0.45Ω。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，提高了電路的能效，使得在電路應用中效率更高。
低開關損耗能力：非常低的QG、結電容，使其具有優越的開關性能，非常低的開關損耗。
適用范圍廣泛
CMF90R450Q MOS管由于其優異的特性，適用于多種應用場景，適合于多種電源電路。MOS管的高耐壓、低導通電阻、ESD保護、低QG、低結電容，具有很好的開關特性及低開關損耗、低導通損耗，使得有很好的效率，能夠很好地滿足電路需求。
CMF90R450Q MOS管采用的TO-220F封裝，其耐壓和電流能力使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些特性集成到CMF90R450Q中，使其在各種電源電路應用中表現出色。
