CMD8447B：汽車電子類理想選擇
CMD8447B：汽車電子類理想選擇
人類對高質(zhì)量生活的追求是推動行業(yè)發(fā)展、產(chǎn)品更新迭代的本質(zhì)。就像出行方式的演變，如今，電動車是人們出行最省時、綠色環(huán)保的交通方式之一，它的普及給人們生活帶來了極大的便捷性。電動車時代已經(jīng)到來，它將再一次整合、發(fā)展微電子半導(dǎo)體行業(yè)。
電動車電子控制單元（ECU）作為電動車最核心的電子控制單元，根據(jù)其特殊的工作環(huán)境，在響應(yīng)速度，動作精準(zhǔn)性以及抗沖擊能力方面要求較高。比如，炎炎夏日，車子在室外長時間曝曬，車內(nèi)溫度會達到近百度；如酷冷冬季，室外溫度逼近-40度，再比如智能化輔助駕駛系統(tǒng)更高的汽車，所有操控都集成于一個顯示屏幕上，在300KM/H超高速行駛中，所有操控，都要通過觸摸屏幕精準(zhǔn)實施，電子控制單元通過驅(qū)動相應(yīng)機械單元完成指令動作，以上這些惡劣環(huán)境條件中使用汽車，不僅是汽車整體性能體現(xiàn)，更是對其電控單元的考驗，是對控制網(wǎng)絡(luò)核心元器件可靠性的要求。
CMD8447B MOSFET是廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）推出的一款泛應(yīng)用類功率MOSFET，卓越的電器特性使其在電源開關(guān)類，驅(qū)動控制類電子電路中得到廣泛應(yīng)用。
封裝形式
CMD8447B MOSFET是N-Channel MOS管，其封裝形式及內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下：
卓越的電氣特性
耐壓能力：CMD8447B MOSFET VDS=40V，屬于低壓MOSFET，它適用于12V，24V等額定電壓或者尖峰電壓相對較低的電路網(wǎng)絡(luò)中。
耐流能力：CMD8447B MOSFET的額定電流ID=50A，具有較高的輸出功率，適用于多路并聯(lián)的大功率以及感性類負(fù)載應(yīng)用的電路網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中。
低阻值：CMD8447B MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)條件下，最大導(dǎo)通電阻RDS(on)=15.5mΩ，低阻值用在電路網(wǎng)絡(luò)中，MOS管自身功率損耗很小，自身熱量很小，根本上避免了管子因為過熱可能出現(xiàn)性能失穩(wěn)甚至熱擊穿失效情況。
優(yōu)秀的開啟能力VGS(TH)
CMD8447B MOSFET閾值電壓最大值為VGS(TH)=3V，低閾值電壓決定了其驅(qū)動電路相對簡答，一般單片機就可以滿足開啟要求，簡單的驅(qū)動電路使得PCB板件體積更小，同時EMI干擾更小，減少了電路中雜波干擾等偶發(fā)情況概率。
優(yōu)秀的熱管理能力
CMD8447B MOSFET RθJC=2.8℃/W，為PN結(jié)到塑封外殼的熱阻，即在相對環(huán)境溫度下，結(jié)到殼的溫度等于熱阻與耗散功率的乘積，可用公式表達為結(jié)到殼的溫度=熱阻×功率耗散。RθJC參數(shù)在MOS管有熱要求的應(yīng)用電路網(wǎng)絡(luò)中是首要考慮的參數(shù)之一。
理想的電容參數(shù)
影響MOSFET開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。器件的損耗是開通過程中的損耗 (Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)，MOS開關(guān)總功率: Psw=(Eon+Eoff)× 開關(guān)頻率，這是確定開關(guān)性能非常重要的參數(shù)之一。MOSFET因為其自身結(jié)構(gòu)存在PN結(jié)電容，柵氧化層電容以及施加電壓形成電場后的寄生電容，這些電容存在使得MOSFET在開關(guān)過程中存在時間上的延遲。這種因為自身電容的影響導(dǎo)致MOSFET延遲的時間是非電容時間的十倍之多，影響相當(dāng)之大，當(dāng)然MOSFET自身電容是由其結(jié)構(gòu)決定，無法根除，只能通過工藝加以控制。
不同的MOSFET產(chǎn)品根據(jù)其制造的工藝的差異性，實測參數(shù)不同，表現(xiàn)出的特性也不盡相同。CMD8447B在低壓、高功率輸出以及尖峰較高感性負(fù)載中表現(xiàn)優(yōu)異性能。當(dāng)然，CMD8447B的使用環(huán)境不僅限于此，還有很多的領(lǐng)域等待大家共同開發(fā)和使用。想要了解CMD8447B其它參數(shù)，請注冊和登錄廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)www.zyxgsj.cn自行下載。
