CMD65R290：反激電源的優(yōu)選
CMD65R290：反激電源的優(yōu)選
CMD65R290功率MOSFET，使用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，可以提供高效率。為設(shè)計(jì)者提供低EMI和低開關(guān)損耗的優(yōu)勢，非常適合反激電源電路應(yīng)用，溫升低，易過EMC。
卓越的電氣特性
CMD65R290的主要電氣特性包括：
耐壓與電流能力：CMD65R290的耐壓（BVDSS）為650V，在25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)13A。
低EMI：CMD65R290采用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，應(yīng)用時具有低EMI、易通過EMC測試的特點(diǎn)。
溫升低：CMD65R290采用TO-252封裝，具有良好的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為0.95℃/W，有很好的散熱能力。
導(dǎo)通損耗小：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMD65R290的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大為0.3Ω。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高了電路的能效，使得在反激電源等電路使用中效率更高。
開關(guān)損耗小：較小的QG、CISS，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能，較小的開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMD65R290 MOS管由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用場景，特別是在反激電源電路中。
在反激電源應(yīng)用中，MOS管的低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接影響工作時的溫升、可靠性、能效，低QG、低結(jié)電容，有較好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗。CMD65R290表現(xiàn)出色，能夠很好地滿足電路需求。
MOS管在電力電子中起到重要作用，其性能直接影響整個電路的效率和穩(wěn)定性。MOS管的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和熱阻（RθJC）是決定其導(dǎo)通性能和散熱能力的關(guān)鍵因素。低導(dǎo)通電阻可以減少導(dǎo)通損耗，提高效率，而低熱阻可以確保在高功率條件下快速散熱，使器件不會過熱，從而延長其使用壽命。
CMD65R290 MOS管采用的TO-252封裝，通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，CMOS成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMD65R290中，使其在反激電源電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
