高新技術(shù)企業(yè)
這種存儲，有望成為DRAM的替代者？
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
近日，英國蘭開斯特大學物理與工程系的科學家發(fā)表了一篇論文，詳細介紹了UltraRAM量產(chǎn)方面的突破。由于其極具吸引力的品質(zhì)，研究人員多年來一直在考慮這種新型存儲器類型，而最新的突破意味著硅晶片上的大規(guī)模生產(chǎn)可能在眼前。UltraRAM被描述為一種內(nèi)存技術(shù)，它“將閃存等數(shù)據(jù)存儲內(nèi)存的非易失性與DRAM等工作內(nèi)存的速度、能源效率和耐用性相結(jié)合。”
重要的是，硅上的UltraRAM可能是一種通用內(nèi)存類型，有朝一日將滿足PC和設(shè)備的所有內(nèi)存需求（RAM和存儲）。然而，我們已經(jīng)看到一些類似的被預(yù)示的想法被擱置了。電阻式RAM、磁阻式RAM和相變存儲器并沒有產(chǎn)生一些初步報告所預(yù)見的影響。此外，我們已經(jīng)看到英特爾的Optane內(nèi)存技術(shù)填補了DRAM和存儲之間的空白，但并未完全彌合鴻溝。英特爾去年這個時候推出了用于臺式電腦的Optane解決方案。
UltraRAM背后的基礎(chǔ)科學在于它利用了化合物半導(dǎo)體的獨特特性，這通常用于光子器件，例如LED、激光器和紅外探測器，現(xiàn)在可以在硅上批量生產(chǎn)。研究人員聲稱，最新的硅化身優(yōu)于在砷化鎵半導(dǎo)體硅片上測試的技術(shù)。
UltraRAM的一些推斷數(shù)字是，它將提供“至少1,000年的數(shù)據(jù)存儲時間”，其快速切換速度和編程擦除循環(huán)耐久性“比閃存好一百到一千倍”。將這些品質(zhì)添加到類似DRAM的速度、能源效率和耐用性上，這種新穎的內(nèi)存類型聽起來很難讓科技公司忽視。
如果您在上面幾行之間閱讀，您會發(fā)現(xiàn)UltraRAM旨在打破RAM和存儲之間的鴻溝。因此，理論上，您可以將其用作一次性解決方案來滿足這些當前單獨的需求。在PC系統(tǒng)中，這意味著您將獲得一大塊UltraRAM，例如2TB，這將滿足您的RAM和存儲需求。
這種轉(zhuǎn)變，如果它發(fā)揮其潛力，將是推動流行的內(nèi)存處理趨勢的好方法。畢竟，你的存儲就是你的記憶——有了UltraRAM；它是相同的晶圓。當一個用例取得成功時，看到UltraRAM部署擴展到從服務(wù)器到PC，再到智能設(shè)備、控制臺等，也就不足為奇了。新的內(nèi)存技術(shù)是否足夠快，可以將專業(yè)的快速內(nèi)存類型排除在外，比如當代GDDR和HBM技術(shù)，還有待觀察。
UltraRAM定價可能是另一個棘手的問題。如果它沒有價格競爭力，那么它的潛在采用率和變革能力就會受到阻礙。這一經(jīng)濟因素還有待觀察，但研究人員對UltraRAM的硅量產(chǎn)突破感到高興，使其易于使用。
蘭開斯特大學的研究人員表示，正在進行進一步的工作以提高質(zhì)量、微調(diào)制造工藝以及實施和擴展UltraRAM設(shè)備。
這種存儲，有望成為DRAM的替代者？
這種存儲，有望成為DRAM的替代者？
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
近日，英國蘭開斯特大學物理與工程系的科學家發(fā)表了一篇論文，詳細介紹了UltraRAM量產(chǎn)方面的突破。由于其極具吸引力的品質(zhì)，研究人員多年來一直在考慮這種新型存儲器類型，而最新的突破意味著硅晶片上的大規(guī)模生產(chǎn)可能在眼前。UltraRAM被描述為一種內(nèi)存技術(shù)，它“將閃存等數(shù)據(jù)存儲內(nèi)存的非易失性與DRAM等工作內(nèi)存的速度、能源效率和耐用性相結(jié)合。”
重要的是，硅上的UltraRAM可能是一種通用內(nèi)存類型，有朝一日將滿足PC和設(shè)備的所有內(nèi)存需求（RAM和存儲）。然而，我們已經(jīng)看到一些類似的被預(yù)示的想法被擱置了。電阻式RAM、磁阻式RAM和相變存儲器并沒有產(chǎn)生一些初步報告所預(yù)見的影響。此外，我們已經(jīng)看到英特爾的Optane內(nèi)存技術(shù)填補了DRAM和存儲之間的空白，但并未完全彌合鴻溝。英特爾去年這個時候推出了用于臺式電腦的Optane解決方案。
UltraRAM背后的基礎(chǔ)科學在于它利用了化合物半導(dǎo)體的獨特特性，這通常用于光子器件，例如LED、激光器和紅外探測器，現(xiàn)在可以在硅上批量生產(chǎn)。研究人員聲稱，最新的硅化身優(yōu)于在砷化鎵半導(dǎo)體硅片上測試的技術(shù)。
UltraRAM的一些推斷數(shù)字是，它將提供“至少1,000年的數(shù)據(jù)存儲時間”，其快速切換速度和編程擦除循環(huán)耐久性“比閃存好一百到一千倍”。將這些品質(zhì)添加到類似DRAM的速度、能源效率和耐用性上，這種新穎的內(nèi)存類型聽起來很難讓科技公司忽視。
如果您在上面幾行之間閱讀，您會發(fā)現(xiàn)UltraRAM旨在打破RAM和存儲之間的鴻溝。因此，理論上，您可以將其用作一次性解決方案來滿足這些當前單獨的需求。在PC系統(tǒng)中，這意味著您將獲得一大塊UltraRAM，例如2TB，這將滿足您的RAM和存儲需求。
這種轉(zhuǎn)變，如果它發(fā)揮其潛力，將是推動流行的內(nèi)存處理趨勢的好方法。畢竟，你的存儲就是你的記憶——有了UltraRAM；它是相同的晶圓。當一個用例取得成功時，看到UltraRAM部署擴展到從服務(wù)器到PC，再到智能設(shè)備、控制臺等，也就不足為奇了。新的內(nèi)存技術(shù)是否足夠快，可以將專業(yè)的快速內(nèi)存類型排除在外，比如當代GDDR和HBM技術(shù)，還有待觀察。
UltraRAM定價可能是另一個棘手的問題。如果它沒有價格競爭力，那么它的潛在采用率和變革能力就會受到阻礙。這一經(jīng)濟因素還有待觀察，但研究人員對UltraRAM的硅量產(chǎn)突破感到高興，使其易于使用。
蘭開斯特大學的研究人員表示，正在進行進一步的工作以提高質(zhì)量、微調(diào)制造工藝以及實施和擴展UltraRAM設(shè)備。
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